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VGF-Ge单晶衬底完整性、复合缺陷及其对多结电池性能的影响 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  曹可慰
Adobe PDF(3546Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1297/23  |  提交时间：2015/12/08
锗  单晶  垂直梯度凝固  多结电池  热施主  
偏[111]晶向锗单晶片位错显示用腐蚀液及腐蚀方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:  曹可慰;  赵有文
Adobe PDF(1374Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：855/2  |  提交时间：2016/09/22