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Si(111)衬底上GaN外延的MOCVD生长及特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  赵丹梅
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Gan  Mocvd  
一种GaN复合薄膜及在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-02
发明人:  赵丹梅;  赵德刚;  江德生;  刘宗顺;  陈平
Adobe PDF(375Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：579/0  |  提交时间：2016/09/02