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中国科学院半导体研究所机构知识库
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GaSb原生受主缺陷对施掺杂激活及其器件应用的影响
学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:
余丁
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提交时间:2019/09/22
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P. Y. Zhou
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X. F. Wu
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H. Q. Ni
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Z. C. Niu
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B. Q. Sun
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提交时间:2016/03/29
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作者:
Li, MF
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Ni, HQ
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Ding, Y
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David, B
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Kong, L
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提交时间:2015/05/11
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Wu, XF
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Wei, H
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Ding, K
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Yu, Y
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Ni, HQ
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Niu, ZC
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提交时间:2015/03/25
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提交时间:2015/03/19
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Wang, HL
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Yu, HY
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Zhou, XL
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Kan, Q
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Wang, W
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Ding, Y
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Pan, JQ
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提交时间:2015/03/20
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作者:
Wang, HL
;
Zhou, XL
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Yu, HY
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Mi, JP
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Wang, JQ
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Ding, Y
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Chen, WX
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Wang, W
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Pan, JQ
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提交时间:2015/04/02
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提交时间:2015/04/02
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期刊论文
作者:
Wang H, Mi J, Zhou X, Meriggi L, Steer M, Cui B, Chen W, Pan J, Ding Y.
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Zhang JW (Zhang, Jingwen)
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提交时间:2013/03/26