已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 王军喜; 闫建昌; 郭亚楠; 张韵; 田迎冬; 朱邵歆; 陈翔; 孙莉莉; 李晋闽 Adobe PDF(2006Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:541/20  |  提交时间:2016/04/15 |
| Nano-layer structure of silicon-on-insulator materials 会议论文 JOURNAL OF THE KOREAN PHYSICAL SOCIETY, 42, SEOUL, SOUTH KOREA, AUG 20-23, 2002 作者: Wang X; Chen M; Chen J; Dong YN; Liu XH; He P; Tian LL; Liu ZL; Chen J Chinese Acad Sci Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol Ion Beam Lab 865 Changning Rd Shanghai 200050 Peoples R China. Adobe PDF(1181Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1326/242  |  提交时间:2010/11/15 Soi Nanostructure Microelectronic Materials |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Wang X; Chen M; Chen J; Dong YN; Liu XH; He P; Tian LL; Liu ZL; Chen J,Chinese Acad Sci,Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol,Ion Beam Lab,865 Changning Rd,Shanghai 200050,Peoples R China. Adobe PDF(2432Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:629/126  |  提交时间:2010/08/12 |
| 一种用于单频激光器的激光腔型 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910242355.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 赵伟芳; 李晋闽; 林学春; 侯玮; 郭林; 李港; 熊波; 董智勇; 刘燕楠; 鄢歆 Adobe PDF(325Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1761/278  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 发明人: 贾利芳; 何志; 刘志强; 李迪; 樊中朝; 程哲; 梁亚楠; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(683Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:701/5  |  提交时间:2016/08/30 |
| 一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 发明人: 贾利芳; 何志; 刘志强; 李迪; 樊中朝; 程哲; 梁亚楠; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(571Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:672/5  |  提交时间:2016/08/30 |