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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deng QW;  Wang XL;  Xiao HL;  Wang CM;  Yin HB;  Chen H;  Lin DF;  Jiang LJ;  Feng C;  Li JM;  Wang ZG;  Hou X;  Deng, QW (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China, daven@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu, Shi-Yong;  Zeng, Xiang-Bo;  Peng, Wen-Bo;  Yao, Wen-Jie;  Xie, Xiao-Bing;  Yang, Ping;  Wang, Chao;  Wang, Zhan-Guo;  Zeng, X.-B.(xbzeng@semi.ac.cn)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu B;  Zhang Z;  Zhang R;  Fu DY;  Xie ZL;  Lu H;  Schaff WJ;  Song LH;  Cui YC;  Hua XM;  Han P;  Zheng YD;  Chen YH;  Wang ZG;  Zhang, R, Nanjing Univ, Dept Phys, Jiangsu Prov Key Lab Adv Photon & Elect Mat, Nanjing Natl Lab Microstruct, Nanjing 210093, Peoples R China. 电子邮箱地址: rzhang@nju.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun YP (Sun Yuanping);  Sun Y (Sun Yuanping);  Cho YH (Cho Yong-Hoon);  Wang H (Wang Hui);  Wang LL (Wang Lili);  Zhang SM (Zhang Shuming);  Yang H (Yang Hui);  Sun, YP, Yantai Univ, Inst Sci & Technol Optoelect Informat, Yantai 264005, Peoples R China. 电子邮箱地址: ypsun@ytu.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zeng SW;  Zhang BP;  Sun JW;  Cai JF;  Chen C;  Yu JZ;  Zhang BP Xiamen Univ Dept Phys Xiamen 361005 Fujian Peoples R China. E-mail Address: bzhang@xmu.edu.cn
Adobe PDF(485Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1157/333  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang AL;  Song HP;  Liu XL;  Wei HY;  Guo Y;  Zheng GL;  Jiao CM;  Yang SY;  Zhu QS;  Wang ZG;  Yang AL Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: alyang@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xiang HJ;  Wei SH;  Da Silva JLF;  Li JB;  Xiang HJ Natl Renewable Energy Lab Golden CO 80401 USA. E-mail Address: suhuai_wei@nrel.gov;  jbli@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luo XD;  Xu ZY;  Ge WK;  Pan Z;  Li LH;  Lin YW;  Luo XD,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li LH;  Pan Z;  Zhang W;  Lin YW;  Wang XY;  Wu RH;  Ge WK;  Li LH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(146Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：978/277  |  提交时间：2010/08/12
Epitaxial growth of GaNAs/GaAs heterostructure materials 会议论文
THIN SOLID FILMS, 368 (2), SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, MAY 10-13, 1999
作者:  Lin YW;  Pan Z;  Li LH;  Zhou ZQ;  Wang H;  Zhang W;  Lin YW Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Ganas  Dc Active N-2 Plasma  Molecular Beam Epitaxy  Nitrogen Content  Fourier Transform Infrared Spectroscopy Of Intensity  Band-gap Energy  Gaas1-xnx  Nitrogen