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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li Z (Li Z.);  Li CJ (Li C. J.);  Li, Z, Brookhaven Natl Lab, Upton, NY 11973 USA. E-mail: zhengl@bnl.gov
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Development of current-based microscopic defect analysis method using optical filling techniques for the defect study on heavily irradiated high-resistivity Si sensors/detectors 会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:  Li, Z (Li, Z.);  Li, CJ (Li, C. J.);  Li, Z, Brookhaven Natl Lab, Upton, NY 11973 USA. 电子邮箱地址: zhengl@bnl.gov
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Dlts  
Electronic characteristics of InAs self-assembled quantum dots 会议论文
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 7 (3-4), FUKUOKA, JAPAN, JUL 12-16, 1999
作者:  Wang HL;  Feng SL;  Zhu HJ;  Ning D;  Chen F;  Wang HL Qufu Normal Univ Dept Phys Qufu 273165 Peoples R China.
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Inas/gaas Quantum Dots  Self-assembled Structure  Dlts  Pl  Band Offset  Energy-levels  Carrier Relaxation  Spectroscopy  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang HL;  Ning D;  Zhu HJ;  Chen F;  Wang H;  Wang XD;  Feng SL;  Wang HL,Chinese Acad Sci,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Inst Semicond,POB 912,Beijing,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang HL;  Feng SL;  Zhu HJ;  Ning D;  Chen F;  Wang HL,Qufu Normal Univ,Dept Phys,Qufu 273165,Peoples R China.
Adobe PDF(105Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：983/267  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ho WY;  Surya C;  Tong KY;  Lu LW;  Ge WK;  Ho WY,Hong Kong Polytech Univ,Dept Elect Engn,Hong Kong,Hong Kong,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang HL;  Zhu HJ;  Ning D;  Chen F;  Feng SL;  Wang HL,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen F;  Feng SL;  Zhao Q;  Wang ZR;  Feng SL,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: fengsl@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu LW;  Zhang YH;  Yang GW;  Wang J;  Ge WK;  Lu LW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Integrated Optoelect Lab,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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