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中国科学院半导体研究所机构知识库
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学位论文
作者:
赵璐
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提交时间:2018/05/24
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学位论文
作者:
朱石超
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提交时间:2017/06/05
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学位论文
作者:
郭亚楠
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提交时间:2017/06/05
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学位论文
作者:
张硕
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提交时间:2017/06/05
图形化硅衬底氮化物外延及半极性发光器件
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:
张璐
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提交时间:2017/06/01
Si
Gan
湿法腐蚀
Mocvd
半极性面
多量子阱
正装结构led
AlN材料外延技术及其应用研究
学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2017
作者:
杜泽杰
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提交时间:2017/05/27
金属有机化合物气相沉积(mocvd)
深紫外led
氮化铝(aln)
成核层
无权访问的条目
学位论文
作者:
田迎冬
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提交时间:2016/06/01
GaN 基蓝光LED droop的机理与抑制技术研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:
郭瑶
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提交时间:2016/05/31
Gan
Led
Efficiency Droop
Ebl
Alingan
无权访问的条目
学位论文
作者:
任鹏
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提交时间:2016/05/30
Si(100)衬底外延氮化物及其3D发光器件
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:
王克超
Microsoft Word(21940Kb)
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提交时间:2016/05/30
硅
氮化镓
外延
单芯片
白光led
湿法腐蚀
多量子阱
Mocvd
纳米线阵列
半极性面