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中国科学院半导体研究所机构知识库
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The influence of substrate nucleation on HVPE-grown GaN thick films - art. no. 684105
会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:
Wei, TB
;
Duan, RF
;
Wang, JX
;
Li, JM
;
Huo, ZQ
;
Zeng, YP
;
Wei, TB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res & Dev Ctr Semicond Lighting Technol, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Hvpe
Gan
Nitridation
Polarity
Etching
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期刊论文
作者:
Gao HY (Gao Haiyong)
;
Gao, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Dept, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: hygao@semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xu DP
;
Wang YT
;
Yang H
;
Zheng LX
;
Li JB
;
Duan LH
;
Wu RH
;
Xu DP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xu DP
;
Yang H
;
Zheng LX
;
Wang XJ
;
Duan LH
;
Wu RH
;
Xu DP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12