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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen YH
;
Li C
;
Zhou ZW
;
Lai HK
;
Chen SY
;
Ding WC
;
Cheng BW
;
Yu YD
;
Li C Xiamen Univ Dept Phys Semicond Photon Res Ctr Xiamen 361005 Peoples R China. E-mail Address: lich@xmu.edu.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao L (Zhao Lei)
;
Zuo YH (Zuo Yuhua)
;
Cheng BW (Cheng Buwen)
;
Yu JZ (Yu Jinzhong)
;
Wang QM (Wang Qiming)
;
Zhao, L, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: leizhao@semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li CB
;
Cheng BW
;
Zuo YH
;
Morrison AP
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Li, CB, Univ Coll Cork, Dept Elect & Elect Engn, Coll Rd, Cork, Ireland. E-mail: cbli1104@yahoo.com.cn
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浏览/下载:766/260
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提交时间:2010/04/11
Temperature dependence of photoluminescence of flat and undulated SiGe/Si multiple quantum wells
会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Cheng BW
;
Zhang JG
;
Zuo YH
;
Mao RW
;
Huang CJ
;
Luo LP
;
Yao F
;
Wang QM
;
Cheng BW Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Si-ge Alloys
Growth
Layers
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Cheng BW
;
Zhang JG
;
Zuo YH
;
Mao RW
;
Huang CJ
;
Luo LP
;
Yao F
;
Wang QM
;
Cheng BW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12