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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JM (Liu J. M.);  Liu XL (Liu X. L.);  Xu XQ (Xu X. Q.);  Wang J (Wang J.);  Li CM (Li C. M.);  Wei HY (Wei H. Y.);  Yang SY (Yang S. Y.);  Zhu QS (Zhu Q. S.);  Fan YM (Fan Y. M.);  Zhang XW (Zhang X. W.);  Wang ZG (Wang Z. G.)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu WG;  Jiao CM;  Wei HY;  Zhang PF;  Kang TT;  Zhang RQ;  Liu XL;  Hu WG Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: sivamay@semi.ac.cn
Adobe PDF(503Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1815/798  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu, WG;  Liu, XL;  Jiao, CM;  Wei, HY;  Kang, TT;  Zhang, PF;  Zhang, RQ;  Fan, HB;  Zhu, QS;  Hu, WG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, PO Box 912, Beijing 10083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sivamay@semi.ac.cn
Adobe PDF(493Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1484/441  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen J;  Wang JF;  Zhang JC;  Wang H;  Huang Y;  Wang YT;  Yang H;  Jia QJ;  Chen, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jchen@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(426Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：913/236  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Munoz M;  Huang YS;  Pollak FH;  Yang H;  Munoz M,CUNY City Coll,Dept Chem,Convent Ave & 138th St,New York,NY 10031 USA.
Adobe PDF(77Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：986/335  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao DG;  Xu SJ;  Xie MH;  Tong SY;  Yang H;  Xu SJ,Univ Hong Kong,Dept Phys,Pokfulam Rd,Hong Kong,Hong Kong,Peoples R China.
Adobe PDF(53Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：3294/1448  |  提交时间：2010/08/12
MOCVD growth of cubic GaN: Materials and devices 会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:  Yang H;  Zhang SM;  Xu DP;  Li SF;  Zhao DG;  Fu Y;  Sun YP;  Feng ZH;  Zheng LX;  Yang H Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Natl Res Ctr Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(380Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1655/238  |  提交时间：2010/10/29
Mocvd  Gan  Ingan  Cubic  Led  Chemical-vapor-deposition  Molecular-beam Epitaxy  Gallium Nitride  Phase Epitaxy  Ingan Films  Electroluminescence  Zincblende  Wurtzite  Mbe  
Energy band and acceptor binding energy of GaN and AlxGa1-xN 会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 75 (2-3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:  Xia JB;  Cheah KW;  Wang XL;  Sun DZ;  Kong MY;  Xia JB Hong Kong Bapitst Univ Dept Phys Hong Kong Hong Kong Peoples R China.
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Acceptor Binding Energy  Hole Effective-mass Hamiltonian  Wurtzite Gan  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xia JB;  Cheah KW;  Wang XL;  Sun DZ;  Kong MY;  Xia JB,Hong Kong Bapitst Univ,Dept Phys,Hong Kong,Hong Kong,Peoples R China.
Adobe PDF(79Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：786/239  |  提交时间：2010/08/12