Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
| 借助保护层的取样光栅的制作方法 | |
| 王 桓; 阚 强; 周 帆; 王宝君; 朱洪亮 | |
| 2010-08-12 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2010-01-13 ; 2010-08-12 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 摘要 | 一种借助保护层的取样光栅的制作方法，包括:在衬底上依次生长缓冲层、下波导层、有源区、上波导层和保护层;在保护层之上，均匀地涂上一层光刻胶，借助于取样光栅光刻版，在光刻胶上曝光出需要制作光栅的区域;将曝光后的结构进行选择性腐蚀;去除剩余的光刻胶，并清洗，将半导体波导结构再涂上一层均匀的光刻胶，并对其进行全息曝光，使光刻胶上印制出光栅轮廓，然后显影;对半导体波导结构进行离子刻蚀，然后再用腐蚀液修整光栅形貌，此时光栅间隔地周期性地制作于保护层和上波导层之上;对半导体波导结构进行选择性腐蚀，将剩余的保护层腐蚀掉，从而在上波导层上获得完整的取样光栅。 |
| 申请日期 | 2008-07-09 |
| 语种 | 中文 |
| 专利状态 | 实质审查的生效 |
| 申请号 | CN200810116415.X |
| 专利代理人 | 汤保平:中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13424 |
| 专题 | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王 桓,阚 强,周 帆,等. 借助保护层的取样光栅的制作方法[P]. 2010-08-12. |
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| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 3578.pdf（410KB） | 限制开放 | -- | 请求全文 | |||
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