| High brightness InAs/GaAs quantum dot tapered laser at 1.3 mu m with high temperature stability | |
| Cao YL (Cao Yu-Lian); Xu PF (Xu Peng-fei); Ji HM (Ji Hai-Ming); Yang T (Yang Tao); Chen LH (Chen Liang-Hui) | |
| 2010 | |
| 会议名称 | Conference on Semiconductor Lasers and Applications IV |
| 会议录名称 | Proceedings of SPIE-The International Society for Optical Engineering vol.7844: Art. No. 784404 2010 |
| 会议日期 | OCT 18-19, 2010 |
| 会议地点 | Beijing, PEOPLES R CHINA |
| 学科领域 | 光电子学 |
| 收录类别 | CPCI（ISTP） |
| 语种 | 英语 |
| 文献类型 | 会议论文 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21418 |
| 专题 | 纳米光电子实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Cao YL ,Xu PF ,Ji HM ,et al. High brightness InAs/GaAs quantum dot tapered laser at 1.3 mu m with high temperature stability[C],2010. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 784404.pdf（374KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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