| 环形腔光子晶体垂直腔面发射激光器 |
| 郑婉华; 刘安金; 邢名欣; 渠宏伟; 周文君; 陈微; 陈良惠
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明公开了一种环形腔光子晶体垂直腔面发射激光器，其特征在于，该垂直腔面发射激光器由下至上依次由下电极(1)、n型衬底(2)、下DBR(3)、有源区(4)、氧化层(5)、刻有空气孔的上DBR(6)、p型盖层(7)和上环形电极(8)、空气孔区(9)和环形出光孔区(10)构成。其中，该垂直腔面发射激光器的上DBR表面的空气孔区为高损耗区，空气孔包围的环形区域为光输出区；该垂直腔面发射激光器的电极蒸镀在上DBR的p型盖层的表面和n型衬底的下表面。利用本发明，能实现相干耦合输出，提高激光器的输出功率，改善激光器的光束质量。 |
| 部门归属 | 纳米光电子实验室
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| 专利号 | CN200910081989.2
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN200910081989.2
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| 专利代理人 | 周国城
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22449
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| 专题 | 纳米光电子实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
郑婉华,刘安金,邢名欣,等. 环形腔光子晶体垂直腔面发射激光器. CN200910081989.2.
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