| 碳化硅PIN微结构的制作方法; 碳化硅PIN微结构的制作方法 |
| 孙国胜; 吴海雷 ; 郑柳; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 闫果果
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2012-08-29
; 2012-08-29
; 2012-08-29
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种碳化硅PiN微结构的制作方法,包括如下步骤：步骤1：取一n型碳化硅衬底；步骤2：对n型碳化硅衬底的表面进行氢气刻蚀；步骤3：在n型碳化硅衬底上生长n-型变浓度缓冲层；步骤4：在n-型变浓度缓冲层上外延生长本征外延层；步骤5：采用离子注入法,在本征外延层上制备P型层；步骤6：退火,完成碳化硅PIN微结构的制作。 |
| 部门归属 | 半导体材料科学中心
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| 申请日期 | 2011-06-28
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| 专利号 | CN102254798A
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201110177841.6
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23315
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| 专题 | 半导体材料科学中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
孙国胜,吴海雷,郑柳,等. 碳化硅PIN微结构的制作方法, 碳化硅PIN微结构的制作方法. CN102254798A.
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