AlN单晶衬底生产设备及其使用方法 | |
李辉杰; 杨少延; 魏鸿源; 赵桂娟; 汪连山; 李成明; 刘祥林; 王占国 | |
专利权人 | 中国科学院半导体所 |
公开日期 | 2016-09-22 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明 |
学科领域 | 半导体材料 |
申请日期 | 2015-05-14 |
申请号 | CN201510245599.X |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27520 |
专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李辉杰,杨少延,魏鸿源,等. AlN单晶衬底生产设备及其使用方法. |
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文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
AlN单晶衬底生产设备及其使用方法.pd(600KB) | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 |
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