| Si基高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究 | |
| 孔祥挺 | |
| 学位类型 | 博士 |
| 导师 | 潘教青 |
| 2017-05-26 | |
| 学位授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 学位授予地点 | 北京 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 关键词 | Ingaas沟道 高迁移率 Mosfet Ge/si衬底 |
| 学科领域 | 半导体器件 ; 微电子学 |
| 公开日期 | 2017-06-05 |
| 文献类型 | 学位论文 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28212 |
| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孔祥挺. Si基高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院,2017. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 2017-博士论文-孔祥挺-定稿版.pd（15211KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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