| III-V族半导体纳米线及其异质结的可控生长和性能表征 | |
| 季祥海 | |
| 学位类型 | 博士 |
| 导师 | 杨涛 研究员 |
| 2018-06 | |
| 学位授予单位 | 中国科学院大学 |
| 学位授予地点 | 北京 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 关键词 | Iii-v族半导体纳米线 异质结纳米线 自催化生长机制 金属有机化学气相沉积 |
| 学科领域 | 半导体材料 |
| 公开日期 | 2018-06-04 |
| 文献类型 | 学位论文 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/28534 |
| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 季祥海. III-V族半导体纳米线及其异质结的可控生长和性能表征[D]. 北京. 中国科学院大学,2018. |
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| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 季祥海博士论文.pdf（7181KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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