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| 集成微波光子信号处理与产生 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者: 唐健
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| 氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-04-01, 公开日期: 3990
发明人: 王晓亮; 唐 健; 肖红领; 王翠梅; 冉学军; 胡国新; 李晋敏
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| 高频大功率GaN基HEMT结构材料及器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者: 唐健
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| 氮化镓基双异质结场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 马志勇; 冉学军; 肖红领; 王翠梅; 胡国新; 唐健; 罗卫军
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Ma ZY (Ma Zhi-Yong); Wang XL (Wang Xiao-Liang); Hu GX (Hu Guo-Xin); Ran JX (Ran Jun-Xue); Xiao HL (Xiao Hong-Ling); Luo WJ (Luo Wei-Jun); Tang J (Tang Jian); Li JP (Li Jian-Ping); Li JM (Li Jin-Min); Ma, ZY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: mazhiyong@mail.semi.ac.cn
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| 制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810226288.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王晓亮; 张明兰; 肖红领; 王翠梅; 唐健; 冯春; 姜丽娟
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| 压电陶瓷光电链路微波信号真延时调控装置 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 李明; 唐健; 邓晔; 祝宁华
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