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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中科院半导体材料科学... [1]
半导体集成技术工程研... [1]
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魏学成 [5]
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专利 [3]
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发表日期
2010 [1]
2007 [2]
2006 [10]
2004 [4]
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EUROPEAN P... [1]
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期刊论文
作者:
胡炜杰
;
赵有文
;
段满龙
;
王应利
;
王俊
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提交时间:2011/08/16
闭管化学气相传输法生长ZnO单晶方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵有文
;
董志远
;
段满龙
;
魏学成
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浏览/下载:1317/154
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提交时间:2009/06/11
InP单晶锭退火处理方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-03-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵友文
;
段满龙
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浏览/下载:1299/131
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao YW
;
Dong ZY
;
Duan ML
;
Sun WR
;
Yang ZX
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1141/255
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhou JM
;
Dong ZY
;
Wei XC
;
Duan ML
;
Li JM
;
Zhou, JM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1179/293
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提交时间:2010/04/11
Growth of ZnO single crystal by chemical vapor transport method
会议论文
JOURNAL OF RARE EARTHS, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 16-19, 2005
作者:
Zhou, JM
;
Dong, ZY
;
Wei, XC
;
Duan, ML
;
Li, JM
;
Zhou, JM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
Zinc Oxide
Growth of high quality semi-insulating InP single crystal by suppression of compensation defects
会议论文
JOURNAL OF RARE EARTHS, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 16-19, 2005
作者:
Zhao, YW
;
Dong, ZY
;
Duan, ML
;
Sun, WR
;
Yang, ZX
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
Indium Phosphide
无权访问的条目
期刊论文
作者:
赵有文
;
董志远
;
魏学成
;
段满龙
;
李晋闽
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浏览/下载:1019/329
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
赵有文
;
董志远
;
李成基
;
段满龙
;
孙文荣
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浏览/下载:841/262
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
赵有文
;
董志远
;
魏学成
;
段满龙
;
李晋闽
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浏览/下载:975/360
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提交时间:2010/11/23