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GaAs 纳米线中高质量 GaAs1-xSbx量子点分子束外延生长与表征 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2024
作者:  侯曦宇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, RZ;  Yan, H;  Wang, B;  Zhang, XW;  Hou, XY;  Wang, RZ, Beijing Univ Technol, Lab Thin Flim Mat, Coll Mat Sci & Engn, Beijing 100022, Peoples R China. 电子邮箱地址: wrz@bjut.edu.cn;  hyan@bjut.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Pan SD (Pan Shu-Di);  He JL (He Jing-Liang);  Hou YE (Hou Yu-E);  Fan YX (Fan Ya-Xian);  Wang HT (Wang Hui-Tian);  Wang YG (Wang Yong-Gang);  Ma XY (Ma Xiao-Yu);  Pan, SD, Shandong Normal Univ, Coll Phys & Elect, Jinan 250014, Peoples R China. E-mail: jlhe@icm.sdu.edu.cn;  htwang@nju.edu.cn;  wygxjw@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  侯识华;  孙捷;  毛容伟;  吴旭明;  马骁宇;  谭满清;  陈良惠
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guo L;  Hou W;  Zhang HB;  Sun ZP;  Cui DF;  Xu ZY;  Wang YG;  Ma XY;  Guo, L, Chinese Acad Sci, Inst Phys, Beijing Natl Lab Condensed Matter Phys, POB 603, Beijing 100080, Peoples R China. 电子邮箱地址: guolinbj@yahoo.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王志明;  吕振东;  封松林;  赵谦;  李树英;  吉秀英;  陈宗圭;  徐仲英;  郑厚植
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多有源区外延结构、采用其的半导体激光器及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  侯继达;  熊聪;  刘素平;  马骁宇
Adobe PDF(771Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：683/8  |  提交时间：2016/09/12