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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang J (Wang Jun);  Li SS (Li Shu-Shen);  Lu YW (Lue Yan-Wu);  Liu XL (Liu Xiang-Lin);  Yang SY (Yang Shao-Yan);  Zhu QS (Zhu Qin-Sheng);  Wang ZG (Wang Zhan-Guo);  Wang, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: junwang07@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn;  qszhu@semi.ac.cn
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Effects of residual C and O impurities on photoluminescence in undoped GaN epilayers 会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 91, RIMINI, ITALY, SEP 24-28, 2001
作者:  Kang JY;  Shen YW;  Wang ZG;  Kang JY Xiamen Univ Dept Phys Xiamen 361005 Peoples R China.
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Defects  Gan  Photoluminescence  Electronic Structures  Yellow Luminescence  Epitaxial-films  Mg  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kang JY;  Shen YW;  Wang ZG;  Kang JY,Xiamen Univ,Dept Phys,Xiamen 361005,Peoples R China.
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Structural properties of polycrystalline silicon films formed by pulsed rapid thermal processing 会议论文
AMORPHOUS AND MICROCRYSTALLINE SILICON TECHNOLOGY-1998, 507, SAN FRANCISCO, CA, APR 14-17, 1998
作者:  Wang YQ;  Liao XB;  Diao HW;  He J;  Ma ZX;  Yue GZ;  Shen SR;  Kong GL;  Zhao YW;  Li ZM;  Yun F;  Wang YQ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Lab Surface Phys POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Amorphous-silicon  Crystallization  Transistors