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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang, Minglan; Yang, Ruixia; Liu, Naixin; Wang, Xiaoliang
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| Influence of AlGaN Buffer Growth Temperature on GaN Epilayer based on Si(111) Substrate 会议论文
3RD INTERNATIONAL PHOTONICS AND OPTOELECTRONICS MEETINGS (POEM 2010), 276: Art. No. 012094 2011, Wuhan, PEOPLES R CHINA, NOV 02-05, 2010
作者: Wei M (Wei Meng); Wang XL (Wang Xiaoliang); Pan X (Pan Xu); Xiao HL (Xiao Hongling); Wang CM (Wang Cuimei); Zhang ML (Zhang Minglan); Wang ZG (Wang Zhanguo)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Jiang LJ; Wang XL; Xiao HL; Wang ZG; Yang CB; Zhang ML
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张明兰; 杨瑞霞; 王晓亮; 胡国新; 高志
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张明兰; 王晓亮; 杨瑞霞; 胡国新
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| 高压开关AlGaN/GaN HEMT材料及器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者: 张明兰
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhang ML; Wang XL; Xiao HL; Wang CM; Yang CB; Tang J; Feng C; Jiang LJ; Hu GX; Ran JX; Wang MG; Zhang ML Chinese Acad Sci Ctr Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: mlzhang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang XL; Chen TS; Xiao HL; Tang J; Ran JX; Zhang ML; Feng C; Hou QF; Wei M; Jiang LJ; Li JM; Wang ZG; Wang XL Chinese Acad Sci Ctr Mat Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xlwang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Jiang LJ; Wang XL; Xiao HL; Wang ZG; Feng C; Zhang ML; Tang J; Jiang LJ Chinese Acad Sci Novel Mat Lab Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: ljjiang@semi.ac.cn
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| AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN DH-HEMTs with improved mobility grown by MOCVD 会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者: Tang J; Wang XL; Chen TS; Xiao HL; Ran JX; Zhang ML; Hu GX; Feng C; Hou QF; Wei M; Li JM; Wang ZG; Tang, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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