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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, J;  Tan, PH;  Zhao, WJ;  Lu, J;  Zhao, JH;  Tan, PH (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China,phtan@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Song C;  Rui YJ;  Wang QB;  Xu J;  Li W;  Chen KJ;  Zuo YH;  Wang QM;  Xu, J, Nanjing Univ, Nanjing Natl Lab Microstruct, Nanjing 210093, Peoples R China. junxu@nju.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang AL;  Song HP;  Liang DC;  Wei HY;  Liu XL;  Jin P;  Qin XB;  Yang SY;  Zhu QS;  Wang ZG;  Yang, AL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: alyang@semi.ac.cn;  xlliu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cai PF;  You JB;  Zhang XW;  Dong JJ;  Yang XL;  Yin ZG;  Chen NF;  Zhang XW Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xwzhang@semi.ac.cn
Adobe PDF(341Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1801/487  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wan DY;  Wang YT;  Wang BY;  Ma CX;  Sun H;  Wei L;  Wei L,Chinese Acad Sci,Inst High Energy Phys,Lab Nucl Anal Tech,Beijing 100039,Peoples R China.
Adobe PDF(493Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1178/521  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ye ZZ;  Ma DW;  He JH;  Huang JY;  Zhao BH;  Luo XD;  Xu ZY;  Ye ZZ,Zhejiang Univ,State Key Lab Silicon Mat,Hangzhou 310027,Peoples R China.
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Dielectric properties of Bi2Ti2O7 films grown on Si(100) substrate by APMOCVD 会议论文
FERROELECTRICS, 271, MADRID, SPAIN, SEP 03-07, 2001
作者:  Wang H;  Shang SX;  Yao WF;  Hou Y;  Xu XH;  Wang D;  Wang M;  Yu JZ;  Wang H Shandong Univ State Key Lab Crystal Mat Jinan 250100 Peoples R China.
Adobe PDF(1640Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1134/178  |  提交时间：2010/11/15
Bi2ti2o7  Thin Film  Mocvd  (111) Orientation  Chemical-vapor-deposition  Crystal Thin-films  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang H;  Shang SX;  Yao WF;  Hou Y;  Xu XH;  Wang D;  Wang M;  Yu JZ;  Wang H,Shandong Univ,State Key Lab Crystal Mat,Jinan 250100,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng XH;  Qu B;  Wang YT;  Yang H;  Liang JW;  Han JY;  Zheng XH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition 会议论文
THIN SOLID FILMS, 368 (2), SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, MAY 10-13, 1999
作者:  Sun XL;  Wang YY;  Yang H;  Li JB;  Zheng LX;  Xu DP;  Wang ZG;  Sun XL Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Res Ctr Optoelect Technol Beijing 100083 Peoples R China.
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Metalorganic Chemical Vapor Deposition  Cubic Gan  Hexagonal Phase Content  4-circle X-ray Double Crystal Diffraction  Molecular-beam Epitaxy  Gallium Nitride  Thin-films  Silicon  Gaas