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High-mobility Ga-polarity GaN achieved by NH3-MBE 会议论文
GAN AND RELATED ALLOYS-2002, 743, BOSTON, MA, DEC 02-06, 2002
作者:  Wang JX;  Wang XL;  Sun DZ;  Li JM;  Zeng YP;  Hu GX;  Liu HX;  Lin LY;  Wang JX Chinese Acad Sci Inst Semicond Mat Ctr POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Molecular-beam Epitaxy  Ion-scattering Spectroscopy  Lattice Polarity  Single-crystals  Films  Polarization  Gan(0001)  Surfaces  Growth  Diodes  
Current-induced migration of surface adatoms during GaN growth by molecular beam epitaxy 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Zheng LX;  Xie MH;  Xu SJ;  Cheung SH;  Tong SY;  Xie MH Univ Hong Kong Dept Phys Pokfulam Rd Hong Kong Hong Kong Peoples R China.
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Surface Processes  Molecular Beam Epitaxy  Nitrides  Semiconducting Gallium Compounds  Gan(0001) Surfaces  Reconstructions  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng LX;  Xie MH;  Xu SJ;  Cheung SH;  Tong SY;  Xie MH,Univ Hong Kong,Dept Phys,Pokfulam Rd,Hong Kong,Hong Kong,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng LX;  Xie MH;  Seutter SM;  Cheung SH;  Tong SY;  Zheng LX,Univ Hong Kong,Dept Phys,Pokfulam Rd,Hong Kong,Hong Kong,Peoples R China.
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