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高质量窄禁带半导体纳米线及其异质结构分子束外延生长与表征 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2014
作者:  潘东
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Inas纳米线  Inas/insb纳米异质结  生长机制  分子束外延  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou ZQ;  Xu YQ;  Hao RT;  Tang B;  Ren ZW;  Niu ZC;  Zhou ZQ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: yingqxu@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu YH (Zhu Y. H.);  Zhang XW (Zhang X. W.);  Xia JB (Xia J. B.);  Zhu, YH, Chinese Ctr Adv Sci & Technol, World Lab, POB 8730, Beijing 100080, Peoples R China. E-mail: zhuyh@semi.ac.cn
Adobe PDF(205Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1266/493  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng CT;  Chen NF;  Gao FB;  Zhang XW;  Chen CL;  Wu JL;  Yu YD;  Peng, CT, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: ctpeng@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang XW;  Zhu YH;  Xia JB;  Zhang, XW, Chinese Ctr Adv Sci & Technol, World Lab, POB 8730, Beijing 100080, Peoples R China.
Adobe PDF(391Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：753/211  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang XW (Zhang X. W.);  Zhu YH (Zhu Y. H.);  Xia JB (Xia J. B.);  Zhang, XW, Chinese Ctr Adv Sci & Technol, World Lab, POB 8730, Beijing 100080, Peoples R China. E-mail: zhxw99@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu YH;  Zhang XW;  Xia JB;  Zhu, YH, CCAST, World Lab, POB 8730, Beijing 100080, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng CT;  Chen NF;  Wu JL;  Yin ZG;  Yu Y;  Peng, CT, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: ctpeng@red.semi.ac.cn
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Space-grown SI-GaAs and its application 会议论文
2002 12TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SEMICONDUCTING & INSULATING MATERIALS, SMOLENICE, SLOVAKIA, JUN 30-JUL 05, 2002
作者:  Chen NF;  Zhong XG;  Zhang M;  Lin LY;  Chen NF Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Semiinsulating Gallium-arsenide  Floating-zone Growth  Crystal-growth  Zero Gravity  Microgravity  Segregation  Stoichiometry  Silicon  Defects  Insb  
Type I-type II transition of self-assembled In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As quantum dots 会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 223 (1), SAPPORO, JAPAN, SEP 24-28, 2000
作者:  Li GH;  Chen Y;  Fung ZL;  Ding K;  Han HX;  Zhou W;  Wang ZG;  Li GH Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Hydrostatic-pressure  Photoluminescence  Gaas  Luminescence  Growth  Insb  Gasb