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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chang H;  Rao G;  Liang J;  Guo Y;  Liu S;  Du H;  Chang, H, Chinese Acad Sci, Inst Phys, Beijing Natl Lab Condensed Matter Phys, Beijing 100080, Peoples R China. 电子邮箱地址: ghrao@aphy.iphy.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Song, YP;  Zhang, HZ;  Lin, C;  Zhu, YW;  Li, GH;  Yang, FH;  Yu, DP;  Yu, DP, Peking Univ, Sch Phys, Natl Key Lab Mesoscop Phys, Beijing 100871, Peoples R China. 电子邮箱地址: yudp@pku.edu.cn
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High-mobility Ga-polarity GaN achieved by NH3-MBE 会议论文
GAN AND RELATED ALLOYS-2002, 743, BOSTON, MA, DEC 02-06, 2002
作者:  Wang JX;  Wang XL;  Sun DZ;  Li JM;  Zeng YP;  Hu GX;  Liu HX;  Lin LY;  Wang JX Chinese Acad Sci Inst Semicond Mat Ctr POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Molecular-beam Epitaxy  Ion-scattering Spectroscopy  Lattice Polarity  Single-crystals  Films  Polarization  Gan(0001)  Surfaces  Growth  Diodes  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kong X;  Hu GQ;  Duan XF;  Lu Y;  Liu XL;  Kong X,Chinese Acad Sci,Beijing Lab Electron Microscopy,Inst Phys,POB 2724,Beijing 100080,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao YZ;  Kan H;  Gao FS;  Gong XY;  Yamaguchi T;  Yamaguchi T,Shizuoka Univ,Elect Res Inst,3-5-1 Johoku,Hamamatsu,Shizuoka 432,Japan.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han PD;  Wang ZG;  Duan XF;  Zhang Z;  Han PD,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen N;  Chen N,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100864,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cui SF;  Li CR;  Mai ZH;  Xiong JW;  Zhao ZX;  Wang YT;  Hatton PD;  Cui SF,Chinese Acad Sci,Inst Phys,Beijing 100080,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han Y;  Lin L;  Han Y,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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