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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chang H
;
Rao G
;
Liang J
;
Guo Y
;
Liu S
;
Du H
;
Chang, H, Chinese Acad Sci, Inst Phys, Beijing Natl Lab Condensed Matter Phys, Beijing 100080, Peoples R China. 电子邮箱地址: ghrao@aphy.iphy.ac.cn
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浏览/下载:859/232
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Song, YP
;
Zhang, HZ
;
Lin, C
;
Zhu, YW
;
Li, GH
;
Yang, FH
;
Yu, DP
;
Yu, DP, Peking Univ, Sch Phys, Natl Key Lab Mesoscop Phys, Beijing 100871, Peoples R China. 电子邮箱地址: yudp@pku.edu.cn
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浏览/下载:1504/510
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提交时间:2010/03/09
High-mobility Ga-polarity GaN achieved by NH3-MBE
会议论文
GAN AND RELATED ALLOYS-2002, 743, BOSTON, MA, DEC 02-06, 2002
作者:
Wang JX
;
Wang XL
;
Sun DZ
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Hu GX
;
Liu HX
;
Lin LY
;
Wang JX Chinese Acad Sci Inst Semicond Mat Ctr POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1891/427
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提交时间:2010/10/29
Molecular-beam Epitaxy
Ion-scattering Spectroscopy
Lattice Polarity
Single-crystals
Films
Polarization
Gan(0001)
Surfaces
Growth
Diodes
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Kong X
;
Hu GQ
;
Duan XF
;
Lu Y
;
Liu XL
;
Kong X,Chinese Acad Sci,Beijing Lab Electron Microscopy,Inst Phys,POB 2724,Beijing 100080,Peoples R China.
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浏览/下载:971/333
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Gao YZ
;
Kan H
;
Gao FS
;
Gong XY
;
Yamaguchi T
;
Yamaguchi T,Shizuoka Univ,Elect Res Inst,3-5-1 Johoku,Hamamatsu,Shizuoka 432,Japan.
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浏览/下载:835/279
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Han PD
;
Wang ZG
;
Duan XF
;
Zhang Z
;
Han PD,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:932/270
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen N
;
Chen N,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100864,Peoples R China.
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浏览/下载:722/132
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Cui SF
;
Li CR
;
Mai ZH
;
Xiong JW
;
Zhao ZX
;
Wang YT
;
Hatton PD
;
Cui SF,Chinese Acad Sci,Inst Phys,Beijing 100080,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Han Y
;
Lin L
;
Han Y,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12