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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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半导体集成技术工程研... [8]
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2015 [1]
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学位论文
作者:
洪文婷
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提交时间:2015/06/02
纳米孔与金属颗粒复合陷光结构太阳能电池及制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-24
发明人:
陈燕坤
;
韩伟华
;
洪文婷
;
杨富华
Adobe PDF(454Kb)
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浏览/下载:740/89
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提交时间:2014/11/17
硅基横向纳米线多面栅晶体管及其制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-18
发明人:
韩伟华
;
王昊
;
马刘红
;
洪文婷
;
杨晓光
;
杨涛
;
杨富华
Adobe PDF(1312Kb)
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浏览/下载:749/64
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提交时间:2014/11/17
硅基III-V族纳米线选区横向外延生长的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-09
发明人:
韩伟华
;
杨晓光
;
杨涛
;
王昊
;
洪文婷
;
杨富华
Adobe PDF(1132Kb)
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浏览/下载:820/64
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提交时间:2014/11/17
基于SOI衬底的Ⅲ-V族纳米线平面晶体管及制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:
洪文婷
;
韩伟华
;
吕奇峰
;
杨富华
Adobe PDF(1297Kb)
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浏览/下载:494/0
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提交时间:2016/09/22
基于SOI衬底的横向纳米线叉指结构晶体管及制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:
洪文婷
;
韩伟华
;
吕奇峰
;
杨富华
Adobe PDF(996Kb)
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浏览/下载:629/0
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提交时间:2016/09/22
一种围栅无结纳米线晶体管的制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:
马刘红
;
韩伟华
;
付英春
;
洪文婷
;
吕奇峰
;
杨富华
Adobe PDF(842Kb)
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浏览/下载:548/2
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提交时间:2016/09/22
SOI叉指结构衬底Ⅲ-Ⅴ族材料沟道薄膜晶体管及制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:
吕奇峰
;
韩伟华
;
洪文婷
;
杨富华
Adobe PDF(526Kb)
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浏览/下载:456/0
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提交时间:2016/09/22